四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量最大的等離子燭刻氣體吠败，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體发刨。
1.可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅镇轿、氮化硅太队、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的燭刻。對(duì)于硅和二氧化硅體系斟彻，采用CF4-H2反應(yīng)離子刻蝕時(shí)濒聪，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性园凫，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。
2.在電子器件表面清洗懒竖、太陽能電池的生產(chǎn)十碗、激光技術(shù)、氣相絕緣舅洋、低溫制冷汉惫、
泄漏檢驗(yàn)劑培愁、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用缓窜。
3.由于化學(xué)穩(wěn)定性極強(qiáng)定续，CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業(yè)等。
4.四氟化碳的溶氧性很好禾锤，因此被科學(xué)家用于超深度潛水實(shí)驗(yàn)代替普通壓縮空氣私股。目前已在老鼠身上獲得成功，在275米到366米的深度內(nèi)恩掷，小白鼠仍可安全脫險(xiǎn)倡鲸。

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1.由碳與氟反應(yīng)，或一氧化碳與氟反應(yīng)黄娘，或碳化硅與氟反應(yīng)峭状，或氟石與石油焦在電爐里反應(yīng)，或二氟二氯甲烷與氟化氫反 應(yīng)逼争，或四氯化碳與氟化銀反應(yīng)优床，或四氯化碳與氟化氫反應(yīng)，都能生成四氟化碳誓焦。四氯化碳與氟化氫的反應(yīng)在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進(jìn)行胆敞，反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、 堿洗除去酸性氣體黎蠢，再通過冷凍霹早，用硅膠除去氣體中的水分，最后經(jīng)精餾而得成品岔歼。

2.預(yù)先稱取5～10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉秋贤，置于鎳盤中，使硅和碳化硅充分接觸后帘既，將鎳盤放入蒙乃爾 合金反應(yīng)管中爬喝，向反應(yīng)管內(nèi)通入氟氣，氟氣先和單質(zhì)硅反應(yīng)顷敞，反應(yīng)放熱后程鸵，氟開始和碳化硅進(jìn)行反應(yīng)，通入等體積的干燥氮?dú)庖韵♂尫鷼馑庵ǎ狗磻?yīng)繼續(xù)進(jìn)行频僵，生成氣 體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化后诚凰，將其通過裝有氫氧化鈉溶液的洗氣瓶除去四氟化硅嫌术，隨后通過硅膠和五氧化二磷干燥塔得到最終產(chǎn)品。

3.以活性炭與氟為原料經(jīng)氟化反應(yīng)制備牌借。在裝有活性炭的反應(yīng)爐中度气，緩緩?fù)ㄈ敫邼夥鷼飧畎矗⑼ㄟ^加熱器加熱、供氟速率和 反應(yīng)爐冷卻控制反應(yīng)溫度磷籍。產(chǎn)品經(jīng)除塵适荣，堿洗除去HF、CoF2院领、SiF4弛矛、CO2等雜質(zhì)、再經(jīng)脫水可獲得含量約為85%的粗品栅盲。將粗品引入低溫精餾釜中進(jìn) 行間歇粗餾汪诉，通過控制精餾溫度，除去O2谈秫、N2扒寄、H2，得到高純CF4私免。

儲(chǔ)存注意事項(xiàng)

 

1. 氣瓶使用和檢驗(yàn)遵照國家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局《氣瓶安全監(jiān)察規(guī)程》的規(guī)定木冈。

2. 氣瓶不得靠近火源，不得受日光曝曬檀抡，與明火距離一般應(yīng)該不小于10米演易，氣瓶不得撞擊。

3. 氣瓶的瓶子嚴(yán)禁沾染油脂园溃。

4. 氣瓶內(nèi)的氣體不能全部用盡坝偶，應(yīng)該留不小于0.04MPa剩余壓力。

 

 

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